[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201410598459.6 | 申请日： | 2014-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN104600052A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 德光成太;森隆弘;新田哲也 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L25/16;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 权太白;谢丽娜 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，其中，多个第1配线层(M1)配置在基板(SUB)的主表面上，第1绝缘膜(SO12)配置为覆盖多个第1配线层(M1)的上表面，第2绝缘膜(SO13)配置为覆盖第1绝缘膜(SO12)的上表面，多个第2配线层(M2)配置在第2绝缘膜(SO13)上。金属电阻元件层(Rmn)配置在多个第2配线层(M2)中的至少一个第2配线层(M2)的正下方。多个导电层(CP1)分别从多个第2配线层(M2)沿与主表面交叉的Z方向朝向金属电阻元件层(Rmn)延伸。金属电阻元件层(Rmn)包括金属配线层(Rm)。多个导电层(CP1)中的至少一个导电层(CP1)的侧面的至少一部分与金属配线层(Rm)连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：多个第1配线层，配置在基板的主表面上；第1绝缘膜，配置为覆盖多个所述第1配线层的上表面；第2绝缘膜，配置为覆盖所述第1绝缘膜的上表面；多个第2配线层，配置在所述第2绝缘膜上；金属电阻元件层，配置在所述第1绝缘膜的上表面上且配置在多个所述第2配线层中的至少一个所述第2配线层的正下方；以及多个导电层，分别从多个所述第2配线层沿与所述主表面交叉的方向朝向所述金属电阻元件层延伸，所述金属电阻元件层包括金属配线层，多个所述导电层中的至少一个所述导电层的侧面的至少一部分与所述金属配线层连接。
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