[发明专利]工艺腔室和半导体加工设备在审
| 申请号： | 201410599158.5 | 申请日： | 2014-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105632968A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 边国栋 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种工艺腔室，该工艺腔室包括具有工艺腔的腔室主体和内衬，所述内衬环绕所述工艺腔的纵向轴线设置在所述工艺腔内，其特征在于，所述内衬与所述腔室主体的内壁之间形成有间隔，所述工艺腔室还包括设置在所述腔室主体的内壁与所述内衬之间的加热件，所述加热件用于对所述内衬进行加热，以控制内衬温度进而降低附着于内衬表面的副产物发生脱落的概率和数量。本发明提供一种半导体加工设备。在本发明所提供的半导体加工设备中，内衬和沉积在内衬上的颗粒的温度始终保持恒定，因此内衬的体积始终不会发生变化，因此，颗粒不容易从内衬上脱落，从而减少了颗粒从内衬上脱落污染设置在工艺腔中的衬底的几率。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】：
一种工艺腔室，该工艺腔室包括具有工艺腔的腔室主体和内衬，所述内衬环绕所述工艺腔的纵向轴线设置在所述工艺腔内，其特征在于，所述内衬与所述腔室主体的内壁之间形成有间隔，所述工艺腔室还包括设置在所述腔室主体的内壁与所述内衬之间的加热件，所述加热件用于对所述内衬进行加热，以控制内衬温度进而降低附着于内衬表面的副产物发生脱落的概率和数量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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