[发明专利]一种芯片键合线焊接力度的检测方法在审

专利信息
申请号: 201410599663.X 申请日: 2014-10-31
公开(公告)号: CN104390911A 公开(公告)日: 2015-03-04
发明(设计)人: 赵杨;王晓玉;杨国荣;代瑾 申请(专利权)人: 山东华芯半导体有限公司
主分类号: G01N19/04 分类号: G01N19/04
代理公司: 济南舜源专利事务所有限公司 37205 代理人: 李舜江
地址: 250101 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及一种芯片键合线焊接力度的检测方法,包括以下步骤:S1:配制质量分数为20%~30%氢氧化钾溶液;S2:检查芯片是否已采用塑封材料进行封装,如果是,则转到步骤S3,否则转到步骤S5;S3:将芯片置入腐蚀液中,去除芯片的封装材料,露出金线;S4:将芯片从腐蚀液中取出,用丙酮进行清洗;S5:将S1中配置的氢氧化钾溶液加热,保持氢氧化钾溶液温度在40~60℃;S6:将芯片浸入S5的氢氧化钾溶液中,腐蚀1.5~3分钟,然后取出芯片;S7:用清水冲洗芯片;S8:用离子风机将带检测芯片风干;S9:将芯片置于40倍显微镜下,使用钩针将目标金线剥离焊垫,观察芯片焊垫上的弹坑,以判断键合线的焊接力度。
搜索关键词: 一种 芯片 键合线 焊接 力度 检测 方法
【主权项】:
一种芯片键合线焊接力度的检测方法,包括以下步骤:S1:配制质量分数为20%~30%的氢氧化钾溶液;S2:检查待检测芯片是否已采用塑封材料进行封装,如果是,则转到步骤S3,否则转到步骤S5;S3:将待检测芯片置入腐蚀液中,去除检测芯片的封装材料,露出金线,在此过程中需要确保金线不受腐蚀液的影响;S4:将待检测芯片从腐蚀液中取出,用丙酮进行清洗,然后将待检测芯片晾干;S5:将S1中配置的氢氧化钾溶液加热,保持氢氧化钾溶液温度在40~60℃;S6:用镊子将键合线外露的芯片轻轻浸入到S5中的氢氧化钾溶液中进行腐蚀,腐蚀1.5~3分钟,再用镊子将待检测芯片从氢氧化钾溶液中取出;S7:用清水充分冲洗待检测芯片,以去除粘附于待检测芯片表面残余的氢氧化钾溶液;S8:采用离子风机将带检测芯片风干,以蒸发存留在待检测芯片表面的水分;S9:将待检测芯片置于放大倍数为40倍的显微镜下,使用钩针将目标金线剥离焊垫,观察芯片焊垫上的弹坑,以判断键合线的焊接力度。
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