[发明专利]一种响应波长可调的紫外探测器在审
申请号: | 201410601733.0 | 申请日: | 2014-10-31 |
公开(公告)号: | CN105633193A | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
发明(设计)人: | 郭丽伟;陈小龙;赵萌;王文军 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;H01L31/0336 |
代理公司: | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人: | 胡剑辉 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种响应波长可调的基于AlxGa1-xN上石墨烯的紫外探测器,该探测器包括支撑衬底(1),所述支撑衬底(1)上形成有AlxGa1-xN(2),所述AlxGa1-xN(2)上形成有石墨烯层(3),以及在所述石墨烯层(3)上形成有两端探测电极(4),另外在所述两端探测电极(4)上分别具有超声键合的电极引线(5)。本发明提供的AlxGa1-xN上石墨烯的紫外探测器,充分利用了AlxGa1-xN对紫外光的高效吸收、界面处的界面电场对载流子的快速转移和石墨烯中载流子的快速迁移的诸多优势,且其器件工艺与现有工艺兼容性好,易于工业化应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 响应 波长 可调 紫外 探测器 | ||
【主权项】:
一种响应波长可调的基于AlxGa1‑xN上石墨烯的紫外探测器,该探测器包括支撑衬底(1),所述支撑衬底(1)上形成有AlxGa1‑xN(2),所述AlxGa1‑xN(2)上形成有石墨烯层(3),以及在所述石墨烯层(3)上形成有两端探测电极(4),另外在所述两端探测电极(4)上分别具有超声键合的电极引线(5)。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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