[发明专利]NBT-BT晶体压电体膜和具备该膜的压电叠层结构体在审
| 申请号： | 201410602181.5 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104868049A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 田中良明;桥本和弥;张替贵圣;足立秀明;藤井映志 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L41/187 | 分类号： | H01L41/187;B41J2/14 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘航;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种具有更高的退极化温度的NBT-BT膜。本发明为一种[(Na，Bi)1-xBax]TiO3晶体压电体膜，该[(Na，Bi)1-xBax]TiO3晶体压电体膜仅具有(001)取向，该[(Na，Bi)1-xBax]TiO3晶体压电体膜具有0.390纳米以上且0.395纳米以下的a轴长，该[(Na，Bi)1-xBax]TiO3晶体压电体膜具有0.399纳米以上且0.423纳米以下的c轴长，x表示0以上且1以下的值，该[(Na，Bi)1-xBax]TiO3晶体压电体膜具有摄氏389度以上的退极化温度。 | ||
| 搜索关键词： | nbt bt 晶体 压电 具备 结构 | ||
【主权项】：
一种[(Na，Bi)1‑xBax]TiO3晶体压电体膜(15)，其中，所述[(Na，Bi)1‑xBax]TiO3晶体压电体膜仅具有(001)取向，所述[(Na，Bi)1‑xBax]TiO3晶体压电体膜具有0.390纳米以上且0.395纳米以下的a轴长，所述[(Na，Bi)1‑xBax]TiO3晶体压电体膜具有0.399纳米以上且0.423纳米以下的c轴长，x表示0以上且1以下的值，并且，所述[(Na，Bi)1‑xBax]TiO3晶体压电体膜具有摄氏389度以上的退极化温度。
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