[发明专利]各向异性导电膜和使用其的半导体装置有效
| 申请号： | 201410602261.0 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104592906A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 金智软;姜炅求;朴憬修;孙秉勤;申颍株;郑光珍;黄慈英 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/00 | 分类号： | C09J7/00;C09J163/00;C09J171/12;C09J11/04;C09J9/02;H01B5/14 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道龙仁*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 揭示了各向异性导电膜和使用其的半导体装置。各向异性导电膜具有三层结构，包含第一绝缘层、导电层和第二绝缘层，其中各向异性导电膜的应力-应变曲线具有如以下方程式1表示的大于0和小于或等于0.2千克力/(平方毫米·％)的斜率A，以及0.4千克力/平方毫米或0.4千克力/平方毫米以上的最大应力(Smax)：斜率(A，单位：千克力/(平方毫米·％))＝(1/2Smax-S0)/x---(1)，其中，Smax：最大应力，x：最大应力的一半(1/2)下的应变(％)，S0：0应变下的应力。本发明的各向异性导电膜具有改进的预压缩性质，且可通过调整斜率A和最大应力使得固化之前的各向异性导电膜初始性质受到控制来促进主要压缩。 | ||
| 搜索关键词： | 各向异性 导电 使用 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种各向异性导电膜，其中所述各向异性导电膜的应力‑应变曲线具有如以下方程式1表示的大于0和小于或等于0.2千克力/(平方毫米·％)的斜率A，以及0.4千克力/平方毫米或0.4千克力/平方毫米以上的最大应力，斜率A＝(1/2Smax‑S0)/x‑‑‑(1)，其中所述斜率A的单位为千克力/(平方毫米·％)，Smax：所述最大应力，x：所述最大应力的一半下的应变，其中所述x的单位为％，S0：0应变下的应力。
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