[发明专利]半导体晶片双面抛光的方法

摘要

本发明涉及半导体晶片双面抛光的方法，其中在每种情况下抛光垫表面均被从中心向边缘螺旋伸展的至少一个沟槽形状的凹陷所中断。通过在两个面上提供抛光剂、局部单独可调节的抛光剂的量及改进的载板，可以实现优化的抛光剂分布，特别是在半导体晶片直径为450mm的情况下。

主权项

至少一个由半导体材料构成的晶片(5)的同步双面抛光方法，所述晶片位于载板(1)中适当尺寸的圆形切口(3)中，并且有正面和背面，所述双面抛光在提供抛光剂下在覆盖有第一抛光垫的上抛光盘和覆盖有第二抛光垫的下抛光盘之间进行，抛光垫的工作面具有内部圆形区域和环形外部区域，其中用于由半导体材料构成的晶片(5)的至少一个圆形切口(3)被分段的抛光剂通道以距离A包围，半导体晶片(5)在抛光过程中在载板(1)中的圆形切口(3)内会或不会发生固有旋转，在抛光垫的内部圆形区域中单位时间内从喷嘴涌出从上部或者从上部和下部进入工作间隙中的抛光剂的量与在同一时间内从位于抛光垫的外部环形区域中的喷嘴涌出的抛光剂的量相比不同，其中抛光剂的供应通过存在于上抛光盘和下抛光盘两者中的开口、以及上抛光垫和下抛光垫两者中的开口以加压方式在半导体晶片(5)的正面和背面上进行，其中用于抛光剂供应的喷嘴可以集成在抛光盘中的开口中。