[发明专利]埋入式磁传感器有效
| 申请号： | 201410602530.3 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104898074B | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 赫伯特·弗朗索瓦;李性宇;郑锺烈;安熙伯;申讲燮;崔诚珉;金荣俊 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/07 | 分类号： | G01R33/07;H01L43/06;H01L43/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李洋;舒艳君 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及埋入式磁传感器，上述埋入式磁传感器在半导体基板的内部以埋设的形态形成磁场传感元件(或霍尔元件)，在上述磁场传感元件(或霍尔元件)的上部以设置模拟及数字电路部的方式设有结构得到改善的磁场传感元件(或霍尔元件)及磁传感器(或霍尔传感器)，由此能够制造尺寸比现有的尺寸更小的磁传感器(或霍尔传感器)。 | ||
| 搜索关键词： | 埋入 传感器 | ||
【主权项】：
一种埋入式磁传感器，其特征在于，包括：绝缘体上硅基板，包括半导体基板、埋入绝缘层及绝缘体上硅层；传感区域，形成于上述半导体基板；传感器接触部，贯通上述埋入绝缘层，并与上述传感区域相连接；以及电路部，形成于上述绝缘体上硅层。
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