[发明专利]形成具有多重功函数栅极结构的方法及所产生的产品在审
| 申请号： | 201410602674.9 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104616994A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 崔起植;金勋 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明揭露一种形成具有多重功函数栅极结构的方法及所产生的产品，其方法包含去除NMOS晶体管和PMOS晶体管的牺牲栅极结构，从而定义NMOS栅极腔和PMOS栅极腔；在该NMOS栅极腔和该PMOS栅极腔中形成高k栅极绝缘层；在该NMOS和PMOS栅极腔中的该高k栅极绝缘层上形成镧系材料层；执行加热工艺，以从该镧系材料层将材料驱入该高k栅极绝缘层，从而在每个该NMOS和PMOS栅极腔内形成含镧高k栅极绝缘层；以及在该NMOS和PMOS栅极腔中的该含镧高k栅极绝缘层上方形成栅极电极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 多重 函数 栅极 结构 方法 产生 产品 | ||
【主权项】：
一种方法，用以形成NMOS晶体管和PMOS晶体管的替代栅极结构，该方法包含︰执行至少一个蚀刻工艺，以去除该NMOS晶体管的牺牲栅极结构和该PMOS晶体管的牺牲栅极结构，从而定义NMOS栅极腔和PMOS栅极腔；在该NMOS栅极腔和该PMOS栅极腔中形成高k栅极绝缘层；在该高k栅极绝缘层上形成位于该NMOS和PMOS栅极腔内的镧系材料层；执行至少一个加热工艺，以从该镧系材料层将材料驱入该高k栅极绝缘层，从而在每个该NMOS和该PMOS栅极腔内形成含镧高k栅极绝缘层；以及执行至少一个工艺操作，以在该NMOS栅极腔中的该含镧高k栅极绝缘层上方形成第一栅极电极结构、以及在该PMOS栅极腔中的该含镧高k栅极绝缘层上方形成第二栅极电极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
