[发明专利]图形化衬底制备方法及外延片制作方法有效
申请号: | 201410603031.6 | 申请日: | 2014-10-29 |
公开(公告)号: | CN104319329B | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
发明(设计)人: | 桂宇畅;张建宝 | 申请(专利权)人: | 华灿光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/22 | 分类号: | H01L33/22;H01L33/00 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人: | 徐立 |
地址: | 430223 湖北省*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种图形化衬底制备方法及外延片制作方法,属于发光二极管领域。所述方法包括采用光刻胶掩膜在蓝宝石衬底上形成多个光刻胶凸起,多个所述光刻胶凸起为柱体结构、台体结构和锥体结构中的至少一种;在设置有所述光刻胶凸起的蓝宝石衬底上沉积一层二氧化硅层;采用光刻胶掩膜及刻蚀工艺刻蚀所述二氧化硅层直至裸露出部分蓝宝石衬底,形成多个二氧化硅凸起,每个所述二氧化硅凸起内部包含一个所述光刻胶凸起,多个所述二氧化硅凸起为柱体结构和台体结构中的至少一种;利用显影工艺将所述二氧化硅凸起内部的光刻胶凸起去除。 | ||
搜索关键词: | 图形 衬底 制备 方法 外延 制作方法 | ||
【主权项】:
一种图形化衬底制备方法,其特征在于,所述方法包括:采用光刻胶掩膜在蓝宝石衬底上形成多个光刻胶凸起,多个所述光刻胶凸起为柱体结构、台体结构和锥体结构中的至少一种;在设置有所述光刻胶凸起的蓝宝石衬底上沉积一层二氧化硅层;采用光刻胶掩膜及刻蚀工艺刻蚀所述二氧化硅层直至裸露出部分蓝宝石衬底,形成多个二氧化硅凸起,每个所述二氧化硅凸起内部包含一个所述光刻胶凸起,多个所述二氧化硅凸起为柱体结构和台体结构中的至少一种;利用显影工艺将所述二氧化硅凸起内部的所述光刻胶凸起去除。
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