[发明专利]掩模版和半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201410604099.6 | 申请日： | 2014-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105629658B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 沈满华;祖延雷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/38 | 分类号： | G03F1/38 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴圳添;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种掩模版和半导体器件的形成方法。其中，所述掩模版包括：基板；位于所述基板上的遮光层；主图形，位于所述遮光层内；还包括：辅助图形，位于所述遮光层内；所述辅助图形位于所述主图形内部或者所述主图形外围，所述辅助图形用于增大掩模版的透光率。所述掩模版通过设置辅助图形，增大了掩模版的透光率，掩模版接收曝光光线照射的面积减小，因此吸收的光线减少，掩模版自加热效应降低，减小掩模版自身的变形，从而防止利用掩模版形成的器件图形发生偏差，提高采用此掩模版形成的半导体器件的图形准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 模版 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掩模版，包括：/n基板；/n位于所述基板上的遮光层；/n主图形，位于所述遮光层内，用于对半导体衬底上的器件图形结构进行修整；/n其特征在于，还包括：/n辅助图形，位于所述遮光层内，用于在半导体衬底上形成或者去除非器件图形；/n所述辅助图形位于所述主图形内部或者所述主图形外围，所述辅助图形用于增大掩模版的透光率；/n其中，所述主图形包括开口，所述辅助图形包括副栅极去除开口、伪栅去除开口或非可印亚衍射散射槽。/n
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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