[发明专利]一种金属硅化物绝缘层的形成方法有效
| 申请号： | 201410604577.3 | 申请日： | 2014-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN104332400B | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 赵鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/316;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种金属硅化物绝缘层的形成方法，包含如下步骤第一步，在对ONO膜层进行刻蚀时，采用金属硅化物绝缘层的掩膜版，保留SONOS区域的ONO膜层，其他金属硅化物绝缘层区域的ONO膜层也同时保留；第二步，进行器件结构的制作；第三步，以保留的ONO膜层作为金属硅化物绝缘层，器件表面生成金属硅化物；第四步，沉积金属，并经过快速退火处理；第五步，去除不需要的金属沉积层。本发明采用保留的ONO膜层作为金属硅化物绝缘层，比传统工艺少使用一层掩膜版。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属硅 绝缘 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种金属硅化物绝缘层的形成方法，其特征在于：包含如下步骤：第一步，在对ONO膜层进行刻蚀时，采用金属硅化物绝缘层的掩膜版，保留SONOS区域的ONO膜层，其他金属硅化物绝缘层区域的ONO膜层也同时保留；第二步，进行器件的栅极及源漏区的器件结构制作；在对器件常规结构的制作过程中，多晶硅栅极进行刻蚀时，采用高选择比的干法刻蚀，确保源漏区的ONO膜层刻蚀停留在顶层氧化硅，防止源漏区的氮化硅损失；第三步，以保留的ONO膜层作为金属硅化物绝缘层，器件表面生成金属硅化物；第四步，沉积金属，并经过快速退火处理；第五步，去除不需要的金属沉积层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410604577.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
