[发明专利]芯片存储单元扰码地址的验证方法有效
| 申请号： | 201410604604.7 | 申请日： | 2014-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN104409104B | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 吴苑 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种芯片存储单元扰码地址的验证方法，包含第一步，在芯片量产过程中，在线缺陷检测中捕捉到存储器内部的失效缺陷或者利用聚焦离子轰击等手段人为制造缺陷导致存储器失效；第二步，记录失效芯片在晶圆上的地址及其失效缺陷在存储单元内的物理地址；第三步，继续完成芯片的制造；第四步，进行普通电学测试，得到失效单元的电学地址；第五步，根据存储器结构设计和测试原理编写转换公式得到物理失效地址；第六步，将上述物理失效地址与第二步记录的物理失效地址进行比对。本方法无需破片进行物理地址的确认，缩短了制样周期，提高了存储单元扰码地址验证的成功率。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 存储 单元 地址 验证 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片存储单元扰码地址的验证方法，其特征在于：包含如下步骤：第一步，在芯片量产过程中，在线缺陷检测中捕捉到存储器内部的失效缺陷，或者利用聚焦离子束轰击手段人为制造缺陷导致存储器失效；第二步，记录失效芯片在晶圆上的地址及其失效缺陷在存储单元内的物理地址；失效芯片的地址是指量产时划片前具有缺陷的失效芯片在整个晶圆上的位置；失效缺陷的物理地址是指单个芯片上的一个或两个以上的失效单元的存储坐标地址；第三步，继续完成芯片的制造；第四步，进行普通电学测试，得到失效单元的电学地址；第五步，根据存储器结构设计和测试原理编写转换公式得到物理失效地址；第六步，将上述物理失效地址与第二步记录的物理失效地址进行比对。
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