[发明专利]一种MOSFET芯片布局结构有效
| 申请号： | 201410605123.8 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104300001A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 白玉明;刘峰;张海涛 | 申请（专利权）人： | 无锡同方微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/41;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MOSFET芯片布局结构，所述MOSFET芯片包括栅极焊盘、栅极金属线及至少一组环形沟槽栅，每组环形沟槽栅至少包括两条由内而外依次环绕排列的环形沟槽栅；所述栅极金属线将各环形沟槽栅并联起来，并连接至所述栅极焊盘。本发明在MOSFET芯片的版图布局设计时，将沟槽栅设置为环形，并优化栅极连接的方式，通过这种布局结构及其延伸，可以减少芯片面积的浪费，增加有源区面积，使得有源区面积占芯片总面积的比例最大化。在排除其它因素情况下，有源区面积占芯片总面积的比例越大，可以设计更多的原胞结构，从而使漏源导通电阻Rdson更小，使得MOSFET芯片性能得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 芯片 布局 结构 | ||
【主权项】：
一种MOSFET芯片布局结构，其特征在于，所述MOSFET芯片包括栅极焊盘、栅极金属线及至少一组环形沟槽栅，每组环形沟槽栅至少包括两条由内而外依次环绕排列的环形沟槽栅；所述栅极金属线将各环形沟槽栅并联起来，并连接至所述栅极焊盘。
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