[发明专利]一种In2S3为缓冲层的AgInS2量子点敏化TiO2光电极的制备方法

摘要

本发明涉及一种In2S3为缓冲层的AgInS2量子点敏化TiO2光电极的制备方法，其制备过程包括(1)FTO导电玻璃基体上制备TiO2多孔膜；(2)通过连续离子吸附反应法制得Ag2S量子点敏化TiO2电极；(3)在Ag2S量子点/TiO2电极上，利用In2S3的化学水浴沉积和反应、一步“原位”合成In2S3为缓冲层的AgInS2量子点敏化光电极。本发明制备工艺简单、对设备的要求较低、不涉及半导体量子点合成常用的有机溶剂；光电极由毒性较低的AgInS2、In2S3和TiO2构成，应用在太阳能电池中有较强的光电响应性能，有潜在的应用前景。

主权项

一种In2S3为缓冲层的AgInS2量子点敏化TiO2光电极的制备方法，包括：(1)将TiO2纳米粉体焙烧，获得预处理后的TiO2纳米粉体；在预处理后的TiO2纳米粉体中，加入水、无水乙醇、醋酸和粘结剂，球磨，减压蒸馏浓缩，获得TiO2粘稠浆料；然后涂敷在FTO导电玻璃基体上，焙烧，得到玻璃基体上TiO2多孔膜；(2)将TiO2多孔膜浸渍在Ag+水溶液中，用去离子水、乙醇洗涤后，放入S2‑水溶液中浸渍反应，再用去离子水、乙醇洗涤，经过连续离子层吸附反应法SILAR循环后得到Ag2S‑QDs敏化TiO2电极；(3)将含有铟盐、硫源、络合剂的In2S3前驱体均相水溶液加入到水热釜中，将Ag2S‑QDs敏化TiO2电极放置在溶液里，密封后加热到80～200℃，水热2～10h，冷却至室温后用去离子水、无水乙醇洗涤，自然晾干得到In2S3为缓冲层的AgInS2量子点敏化TiO2光电极。