[发明专利]半导体测试治具有效
申请号: | 201410606735.9 | 申请日: | 2014-10-30 |
公开(公告)号: | CN104280678B | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
发明(设计)人: | 石磊 | 申请(专利权)人: | 通富微电子股份有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 吴敏 |
地址: | 226006 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种半导体测试治具,包括:基底;位于基底上若干相互分离的若干测试针头;位于基底上的固定层,所述固定层填充相邻测试针头之间的空间且覆盖测试针头的部分侧壁表面。所述固定层提高了测试针头的机械强度,固定层能够分散测试针头与被测试端子接触时受到的应力,在测试时防止测试针头发生变形或者从基底表面脱离。 | ||
搜索关键词: | 半导体 测试 | ||
【主权项】:
1.一种半导体测试治具,其特征在于,包括:基底;位于基底上若干相互分离的若干测试针头;位于基底上的固定层,所述固定层填充相邻测试针头之间的空间且覆盖测试针头的部分侧壁表面;其中,所述测试针头和固定层通过半导体集成制作工艺形成,所述测试针头为单根的金属针头或同轴测试针头,所述测试针头为单根的金属针头时,半导体集成制作工艺形成测试针头和固定层包括方案a和b;所述测试针头为同轴测试针头时,半导体集成制作工艺形成测试针头和固定层包括方案c和d;方案a,在基底上形成金属层;刻蚀所述金属层形成若干测试针头;形成覆盖所述基底和测试针头的介质层,回刻蚀去除部分厚度的介质层,基底上剩余的介质层作为固定层;方案b,在所述基底上形成介质层,所述介质层中具有暴露出基底表面的若干通孔;在所述通孔中填充金属形成若干测试针头;回刻蚀去除部分厚度的介质层,基底上剩余的介质层作为固定层;方案c,在所述基底上形成第一测试针;形成覆盖每个第一测试针侧壁和顶部表面的绝缘薄膜层;无掩膜刻蚀工艺刻蚀所述绝缘薄膜层在第一测试针的侧壁形成绝缘层;形成覆盖所述绝缘层和第一测试针顶部表面的第二金属层;无掩膜刻蚀所述第二金属层,在绝缘层表面形成第二测试针;形成覆盖所述基底和测试针头表面的固定材料层;回刻蚀所述固定材料层,形成固定层;方案d,在所述基底上形成介质层,所述介质层中形成有若干第一通孔和环绕每个第一通孔的环形通孔,第一通孔和环形通孔之间通过部分介质层隔离;在第一通孔中填充金属形成第一测试针,在环形通孔中填充金属形成第二测试针;去除第二测试针外侧的部分厚度的介质层,第一测试针和第二测试针之间剩余的介质层作为绝缘层,测试针头之间的基底上剩余的介质层作为固定层。
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