[发明专利]半导体测试治具的形成方法

摘要

一种半导体测试治具的形成方法，包括提供基底；在所述基底上形成若干相互分离的若干测试针头；在所述基底上形成介质层，所述介质层填充相邻测试针头之间的空间且覆盖测试针头的侧壁表面，所述介质层的表面与测试针头的顶部表面齐平在介质层和测试针头上形成过渡板，所述过渡板中具有若干与测试针头顶部表面电接触的金属块。本发明方法形成的半导体测试治具中的介质层用于测试针头之间的电学隔离并提高测试针头的机械强度，所述介质层上具有过渡板，所述过渡板作为测试针头与被测试端子之间的过渡结构，以方便电学性能的测试，以及防止测试针头与被测试端子直接接触，对测试端子造成损伤或者容易使得测试针头发生变形。

主权项

一种半导体测试治具的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成若干相互分离的若干测试针头，所述测试针头为单根的金属针头或同轴测试针头；在所述基底上形成介质层，所述介质层填充相邻测试针头之间的空间且覆盖测试针头的侧壁表面，所述介质层的表面与测试针头的顶部表面齐平在介质层和测试针头上形成过渡板，所述过渡板中具有若干与测试针头顶部表面电接触的金属块；当所述测试针头为单根的金属 针头时，前述过程包括方案A和方案B：方案A，在基底上形成金属层；刻蚀所述金属层形成若干测试针头；形成覆盖所述基底和测试针头的介质层，所述介质层的表面与测试针头的顶部表面齐平；方案B，在所述基底上形成介质层，所述介质层中具有暴露出基底表面的若干通孔；在所述通孔中填充金属形成若干测试针头；当所述测试针头为同轴测试针头时，前述过程包括方案C和方案D：方案C，形成覆盖每个第一测试针侧壁和顶部表面的绝缘薄膜层；无掩膜刻蚀工艺刻蚀所述绝缘薄膜层在第一测试针的侧壁形成绝缘层；形成覆盖所述绝缘层和第一测试针顶部表面的第二金属层；无掩膜刻蚀所述第二金属层，在绝缘层表面形成第二测试针；方案D，在所述基底上形成介质层，所述介质层中形成有若干第一通孔和环绕每个第一通孔的环形通孔，第一通孔和环形通孔之间通过部分介质层隔离；在第一通孔中填充金属形成第一测试针，在环形通孔中填充金属形成第二测试针，第一测试针和第二测试针之间部分介质层作为绝缘层。