[发明专利]一种反应腔室及半导体加工设备

摘要

本发明了提供一种反应腔室及半导体加工设备，该反应腔室包括承载装置、等离子体产生装置和金属板，承载装置用于承载基片，等离子体产生装置用于将反应腔室内的气体激发形成等离子体，承载装置设置在等离子体产生装置的下方；金属板横向设置在承载装置和等离子体产生装置之间，且在金属板上设置有贯穿其厚度的多个通孔，金属板与直流电源电连接，用以向金属板施加正电压，以实现排斥金属板上方的离子经由通孔朝向承载装置扩散。本发明提供的反应腔室，其可以解决氢离子容易进入Low‑K材料对器件的性能造成影响的问题，从而可以提高工艺质量和芯片良率。

主权项

1.一种反应腔室，包括承载装置和等离子体产生装置，所述承载装置用于承载基片，所述等离子体产生装置用于将反应腔室内的气体激发形成等离子体，所述承载装置设置在所述等离子体产生装置的下方；其特征在于，还包括金属板，所述金属板横向设置在所述承载装置和所述等离子体产生装置之间，且在所述金属板上设置有贯穿其厚度的多个通孔，并且，所述金属板与直流电源电连接，用以向所述金属板施加正电压，以排斥所述金属板上方的离子朝向所述承载装置扩散，在所述反应腔室的侧壁外侧，且位于所述金属板的上方和/或下方并靠近所述金属板的位置处设置有磁体，并且所述磁体沿所述反应腔室的周向设置。