[发明专利]用于污水深度处理的Ti/SnO2‑Sb薄膜电极的制备方法

摘要

本发明涉及一种用于污水深度处理的Ti/SnO2‑Sb薄膜电极的制备方法，该方法包括以下步骤Ti基体预处理步骤、锡锑的聚合前驱溶胶制备步骤、陈化步骤、Ti/SnO2‑Sb薄膜电极制备步骤，其中，所述锡锑的聚合前驱溶胶制备步骤中，碳原子数为2～8的多元羧酸与碳原子数为2～5的多元醇缩聚而成的聚合物，并与锡锑的金属离子螯合；陈化步骤，在常温下，陈化30～90天；Ti/SnO2‑Sb电极制备步骤，在所述经过预处理的Ti基板上涂布得到。通过以上方法制备的Ti/SnO2‑Sb电极表面的SnO2‑Sb涂层，结晶度高且极为致密，故导电性更优良。同时，SnO2‑Sb晶体层非常致密，并且其向外高高凸起的晶体结构(110晶面)能够极大延缓新生态氧对Ti基体的侵蚀，因而大大延长了电极的寿命。

主权项

一种用于污水深度处理的Ti/SnO2‑Sb薄膜电极的制备方法，该方法包括以下步骤：Ti基体预处理步骤、锡锑的聚合前驱溶胶制备步骤、陈化步骤、Ti/SnO2‑Sb电极制备步骤，其中，所述锡锑的聚合前驱溶胶制备步骤中，碳原子数为2～8的多元羧酸与碳原子数为2～5的多元醇缩聚而成的聚合物，并与锡锑离子螯合；其中，所述碳原子数为2～8的多元羧酸选自柠檬酸、乙二酸、1，2‑丙酸、琥珀酸及戊二酸，所述碳原子数为2～5的多元醇选自乙二醇、1，2‑丙二醇、甘油、1，3‑丁醇、1，2‑丁醇；所述锡锑离子为SnCl4·5H2O和SbCl3；陈化步骤，在常温下，陈化30～90天；Ti/SnO2‑Sb薄膜电极制备步骤，在经过预处理的Ti基板上涂布得到。