[发明专利]一种光伏‑热效太阳能电池的制作方法

摘要

一种光伏‑热效太阳能电池的制作方法，如摘要附图所示，是一种在多层热效半导体薄膜上再叠层制作光伏半导体薄膜的太阳能电池，由序1基板，序2、序4、序6导电金属层，序3、序5热效半导体层，序7光伏半导体层，序8透明导电层，序9透明保护层，在序2和序8上焊接序10引线和序11外引端子，最后进行封装构成的一种光伏‑热效太阳能电池。其中热效半导体层由掺杂Zn元素的序31、51 n型氧化钴钙热效半导体薄膜和掺杂稀土La元素的序32、52 p型氧化钴钙热效半导体薄膜组成；光伏半导体层由序71 n型CdS光伏半导体薄膜和序72 p型Cu2S光伏半导体薄膜构成。这种光伏‑热效太阳能电池不但利用太能的光电效应，还利用太阳能的热电效应，较为有效地解决了单一光伏太阳能电池能量转换率和利用率低的问题。

主权项

一种光伏‑热效太阳能电池的制作方法，其特征是包括依次按照下列步骤制作：先在洁净的基板（1）上丝网印刷一层铜浆，经120～200℃真空干燥，再电镀上一层铜膜，预留焊接引线的位置，形成第一导电金属层（2）；在第一导电金属层（2）上旋涂一层第一n型氧化钴钙热效半导体薄膜（31），经120～200℃真空干燥，再在第一n型氧化钴钙热效半导体薄膜（31）上旋涂一层第一p型氧化钴钙热效半导体薄膜（32），经120～200℃真空干燥，形成第一热效半导体薄膜（3）；在第一热效半导体薄膜（3）上按照制作第一导电金属层（2）的方法制作第二导电金属层（4）；在第二导电金属层（4）上按照制作第一热效半导体薄膜（3）的方法制作第二n型氧化钴钙热效半导体薄膜（51）和第二p型氧化钴钙热效半导体薄膜（52），形成第二热效半导体薄膜（5）；在第二热效半导体薄膜（5）上按照制作第一导电金属层（2）的方法制作第三导电金属层（6）；再在第三导电金属层（6）上旋涂一层n型CdS光伏半导体薄膜（71），经120～200℃真空干燥，再在n型CdS光伏半导体薄膜（71）上旋涂一层p型Cu2S光伏半导体薄膜（72），经120～200℃真空干燥，形成光伏半导体薄膜（7）；在光伏半导体薄膜（7）上再旋涂一层SnO2，经120～200℃真空干燥，形成导电层（8）；上面步骤形成的为光伏‑热效电池的本体，本体还需要整体经过750～800℃烧结，恒温保持3～5小时 ，然后按50℃/小时的速度降温退火，直到常温；然后再在导电层（8）上附加透明保护层（9），并留出引线焊接位置；在第一导电金属层（2）和导电层（8）上焊接引线和外引端子，最后进行封装，形成光伏‑热效太阳能电池。