[发明专利]一种发光二极管外延结构在审
| 申请号： | 201410612381.9 | 申请日： | 2014-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN104332538A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 李鸿建;沈鑫;靳彩霞;董志江 | 申请（专利权）人： | 迪源光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张瑾 |
| 地址： | 430074 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明适用于发光二极管技术领域，提供了一种发光二极管外延结构，外延结构包括：依次排列的衬底1、过渡层2、u型氮化镓层3、n型氮化镓层4、量子阱层5和p型氮化镓层6；所述n型氮化镓层4的电子浓度渐变，远离所述量子阱层5侧电子浓度高于靠近所述量子阱层5侧电子浓度。该发光二极管外延结构的结构简单，制作方便，解决现有技术中电流密度分布不均的问题，增加电流扩展，缓解电流分布不均，能有效提高提高发光二极管的发光效率与信赖性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种发光二极管外延结构，其特征在于，所述外延结构包括依次排列的衬底(1)、过渡层(2)、u型氮化镓层(3)、n型氮化镓层(4)、量子阱层(5)和p型氮化镓层(6)；所述n型氮化镓层(4)的电子浓度渐变，远离所述量子阱层(5)侧电子浓度高于靠近所述量子阱层(5)侧电子浓度。
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