[发明专利]半导体元件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件包括：具有第一导电型的基底、两叠层、具有第二导电型的第一掺杂区、非晶化前注入区以及具有第二导电型的第二掺杂区。两叠层位于基底上，其中各叠层包括介电层以及导体层。介电层位于基底。导体层位于介电层上。第一掺杂区具有第一掺质，位于各叠层之间的基底中。非晶化前注入区位于第一掺杂区中。第二掺杂区具有第二掺质，位于非晶化前注入区中，其中第一导电型与第二导电型不同，且第二掺质的扩散速率大于第一掺质的扩散速率，且第二掺质的热活性高于第一掺质的热活性。

主权项

1.一种半导体元件，包括：两叠层，位于具有一第一导电型的一基底上，其中各该叠层包括：一介电层，位于该基底上；以及一导体层，位于该介电层上；具有一第二导电型的一第一掺杂区，具有一第一掺质，位于各该叠层之间的该基底中；一非晶化前注入区，位于该第一掺杂区中；以及具有该第二导电型的一第二掺杂区，具有一第二掺质，位于该非晶化前注入区中，其中该第一导电型与该第二导电型不同，且该第二掺质的扩散速率大于该第一掺质的扩散速率，该第二掺质的热活性高于该第一掺质的热活性；其中，该半导体元件系利用多道的离子注入工艺，将不易扩散的第一掺质以及非晶化前注入区包围在高活性且易扩散的第二掺质的周围，使得高活性且易扩散的第二掺质不被扩散至基底中。