[发明专利]非易失性存储器件有效
| 申请号： | 201410613050.7 | 申请日： | 2014-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN105047666B | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 金南润;朴圣根 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种非易失性存储器件包括：第一有源区和第二有源区，其彼此分开；浮栅，其与第一有源区交叉，并且被设置成使得其一个端部与第二有源区重叠；选择栅，其与第一有源区交叉，以及被设置成与浮栅并排并且与浮栅耦接；电介质层，其被设置在浮栅和选择栅之间，其中电介质层、浮栅和选择栅的叠层形成水平结构的第一电容器；阱区，其被设置在第二有源区中并且与浮栅耦接，其中，阱区和浮栅的叠层形成垂直结构的第二电容器；以及接触部，其与阱区和选择栅共同耦接。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器件，包括：第一有源区和第二有源区，其彼此分开；浮栅，其与所述第一有源区交叉，并且被设置成使得其的一个端部与所述第二有源区重叠；选择栅，其与所述第一有源区交叉，以及被设置成与所述浮栅并排并且与所述浮栅耦接；电介质层，其被设置在所述浮栅和所述选择栅之间，其中，所述电介质层、所述浮栅和所述选择栅的叠层形成水平结构的第一电容器；阱区，其被设置在所述第二有源区中并且与所述浮栅耦接，其中，所述阱区和所述浮栅的叠层形成垂直结构的第二电容器；以及接触部，其与所述阱区和所述选择栅共同耦接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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