[发明专利]体接触型金属氧化物半导体场效应晶体管设备有效
| 申请号： | 201410613063.4 | 申请日： | 2014-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN104795443B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 洪建州;李东兴;柏纳得·马克·坦博克;陈荣堂 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京市万慧达律师事务所 11111 | 代理人： | 张金芝;杨颖 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种体接触型MOSFET设备，包含：基板；设置于该基板上的有源区；栅极带，设置于该有源区的第一部分并沿着第一方向予以延展；源极掺杂区与漏极掺杂区，分别设置于该有源区的第二部分和第三部分，分别与该栅极带的两个相对的侧边相邻，其中该栅极带的相对的侧边沿该第一方向予以延展；以及体接触掺杂区，设置于该有源区的第四部分，其中该体接触掺杂区与该栅极带被该有源区的第五部分隔离开，该有源区的第五部分未被任何硅化物面所覆盖。本发明实施例可避免产生任何的寄生电容，从而能够实现体接触型MOSFET设备的低RF损失以及高线性的性能。 1 | ||
| 搜索关键词： | 源区 体接触 栅极带 掺杂区 基板 延展 金属氧化物半导体场效应晶体管 漏极掺杂区 源极掺杂区 寄生电容 侧边沿 高线性 硅化物 接触型 侧边 种体 分隔 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种体接触型金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET设备，其特征在于，包含：基板；设置于该基板上的有源区；栅极带，设置于该有源区的第一部分并沿着第一方向予以延展；源极掺杂区与漏极掺杂区，分别设置于该有源区的第二部分和第三部分，分别与该栅极带的两个相对的侧边相邻，其中该栅极带的相对的侧边沿该第一方向予以延展；以及体接触掺杂区，设置于该有源区的第四部分，其中该体接触掺杂区与该栅极带被该有源区的第五部分隔离开，该有源区的第五部分未被任何硅化物面所覆盖；其中，该体接触掺杂区沿该第一方向以相同的距离与该栅极带、该源极掺杂区与该漏极掺杂区隔离。
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