[发明专利]大功率半导体装置有效
| 申请号： | 201410613719.2 | 申请日： | 2014-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN104681502B | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | A·波佩斯库;H·库拉斯;P·格拉斯彻尔 | 申请（专利权）人： | 赛米控电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/10 | 分类号： | H01L23/10 |
| 代理公司： | 北京易捷胜知识产权代理事务所(普通合伙) 11613 | 代理人： | 韩国胜 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种大功率半导体装置，其具有基板和布置在基板上并与该基板相连的大功率半导体结构元件，其中，大功率半导体装置具有构成结构单元的负载连接装置和壳体，该壳体具有包括凹口的第一壳体件，其中，用于电接触大功率半导体装置的负载连接装置具有穿过凹口延伸的导电的第一负载连接元件，该第一负载连接元件具有布置在壳体外部的外部连接区段和布置在壳体内部的内部连接区段，其中，负载连接装置具有压力元件，外部连接区段穿过该压力元件延伸并且该压力元件与外部连接区段材料配合地连接，其中，大功率半导体装置具有压合接头，该压合接头相对于第一壳体件的外侧挤压压力元件并且使压力元件与第一壳体件的内侧相连。 | ||
| 搜索关键词： | 大功率半导体装置 压力元件 负载连接装置 第一壳体 外部连接 基板 负载连接元件 凹口 壳体 压合 大功率半导体 穿过 材料配合 挤压压力 结构元件 壳体内部 壳体外部 内部连接 地连接 电接触 延伸 导电 | ||
【主权项】：
1.大功率半导体装置，所述大功率半导体装置具有基板(19)和布置在所述基板(19)上并且与所述基板(19)相连的大功率半导体结构元件(22)，其中，所述大功率半导体装置(1)具有构成结构单元的负载连接装置(2)和壳体，所述壳体具有包括凹口(10)的第一壳体件(9)，其中，用于电接触所述大功率半导体装置(1)的负载连接装置(2)具有穿过所述凹口(10)延伸的导电的第一负载连接元件(3)，所述第一负载连接元件具有布置在壳体外部的外部连接区段(3a)和布置在壳体内部的内部连接区段(3b)，其中，所述负载连接装置(2)具有压力元件(7、7’)，所述外部连接区段(3a)穿过所述压力元件延伸并且所述压力元件与所述外部连接区段(3a)材料配合地连接，其中，所述大功率半导体装置(1)具有压合接头(35、35’)，所述压合接头相对于所述第一壳体件(9)的外侧(16)挤压所述压力元件(7、7’)并且使所述压力元件(7、7’)与所述第一壳体件(9)的内侧(15)相连。
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