[发明专利]一种非对称FinFET结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410614572.9 | 申请日： | 2014-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN105633151B | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 刘云飞;尹海洲;李睿 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种非对称FinFET结构，包括：衬底(100)，所述衬底上具有鳍片(200)；位于所述鳍片(200)中部上方的栅极介质层(510)；位于所述栅极介质层上方的栅极叠层(240)；位于所述栅极叠层(240)两侧的侧墙(300)；位于所述栅极叠层(200)两侧鳍片中的源漏区；以及，覆盖源漏区的层间介质层；其中，所述栅极介质层(510)覆盖所述鳍片(200)，且其位于源漏区中的漏区的部分厚度大于其余部分。根据本发明的提供的FinFET结构，不仅有效地减小了因为由于栅压所引起的GIDL漏电，在高压FinFET中进一步抑制了栅极介质层穿通；同时避免了因为栅介质层厚度增加而减弱栅控能力，有效地提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对称 finfet 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非对称FinFET结构的制造方法，包括：a.提供衬底(100)，衬底(100)上具有鳍片(200)、位于鳍片两侧的浅沟槽隔离(400)、位于鳍片中部的伪栅空位、位于伪栅空位两侧的侧墙(300)，以及位于所述侧墙两侧浅沟槽隔离上方的层间介质层(450)；b.在所述伪栅空位中的鳍片(200)上形成栅极介质层(510)；c.在所述栅极介质层(510)和层间介质层(450)上形成掩膜(520)；d.在所述掩膜(520)上涂覆光刻胶，并刻蚀掉位于伪栅空位中靠近源漏区中的漏区的部分光刻胶，形成开口；e.从所述开口对掩膜(520)进行各项同性刻蚀，形成掩膜空位，露出掩膜下方的栅极介质层(510)；f.对掩膜空位下方的栅极介质层(510)进行外延生长，使其填充所述掩膜空位，并去除掩膜(520)；g.在所述伪栅空位中的栅极介质层上方形成栅极叠层(240)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410614572.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
