[发明专利]采用多晶截止场板的半导体器件终端单元结构及制造方法在审
| 申请号： | 201410614652.4 | 申请日： | 2014-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN104393028A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 张世勇;胡强;王思亮 | 申请（专利权）人： | 中国东方电气集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/06;H01L21/28 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 苏丹 |
| 地址： | 610036 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及电力电子技术领域的半导体器件，具体为一种采用多晶截止场板的半导体器件终端单元结构及制造方法，包括第一导电类型衬底，所述第一导电类型衬底的第一主面内设有第二导电类型场限环，所述第一导电类型衬底的第一主平面上，设有第一绝缘层；所述第一绝缘层上、且位于第二导电类型场限环的两侧各设有一块场板；本申请设计的场板与第二导电类型场限环是相连的，多晶截止场板能够压缩电场，多晶延伸场板可以延伸电场，从而使电场从新分布，同样实现了减小场限环电场的效果。本发明采用多晶来充当截止场板和延伸场板，在电场的截止和延伸上均有很好的效果，并且能够缩小终端面积。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 多晶 截止 半导体器件 终端 单元 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
采用多晶截止场板的半导体器件终端单元结构，其特征在于：包括第一导电类型衬底（110），所述第一导电类型衬底（110）的第一主面内设有第二导电类型场限环（120），所述第一导电类型衬底（110）的第一主平面上，设有第一绝缘层（130）；所述第一绝缘层（130）上、且位于第二导电类型场限环（120）的两侧各设有一块场板；所述两块场板上设有第二绝缘层（150），所述第二绝缘层（150）上设有金属场板（160）；所述金属场板（160）的底部与第二导电类型场限环（120）接触，所述金属场板（160）覆盖第二导电类型场限环（120）的区域及其两侧；所述两块场板位于第一绝缘层（130）的上面、且覆盖在第二导电类型场限环（120）的两侧，所述场板包括多晶截止场板（141）和多晶延伸场板（142），所述金属场板（160）的一端与多晶截止场板（141）接触相连，其另一端与多晶延伸场板（142）接触相连。
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