[发明专利]一种锗基CMOS的制备方法

摘要

本发明公开了一种锗基CMOS的制备方法，属于半导体器件领域。该方法利用离子注入的方法精确控制阱的深度与掺杂浓度，并在注入后通过牺牲氧化的方法改善由于离子注入、淀积掩蔽层与场区氧化物带来的锗基衬底表面的粗糙度的退化。本发明工艺简单，与传统硅基CMOS工艺兼容，易于实现。

主权项

一种锗基CMOS的制备方法，包括如下步骤：1)锗基衬底上阱的制备，即N阱和P阱：1‑1)对锗基衬底进行清洗，在锗基衬底上淀积注入掩蔽层；1‑2)注入所需的杂质并激活；1‑3)去除注入掩蔽层；2)隔离结构形成：2‑1)场区隔离槽形成；2‑2)场区氧化物淀积；3)MOS结构形成：3‑1)有源区开孔，用牺牲氧化的方法改善衬底表面粗糙度；3‑2)淀积栅介质；3‑3)淀积栅电极；4)源、漏及接触形成：4‑1)形成侧墙结构；4‑2)源、漏注入及激活；4‑3)隔离层淀积、开孔、淀积接触金属。