[发明专利]一种制氢方法

摘要

本发明提供了一种制氢方法。在金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生产氮化镓发光二极管(GaN-LED)的过程中，一方面MOCVD设备需要大量的高纯氢气作为载气，另一方面MOCVD又会排放大量氨气(混有氢气、氮气以及杂质气体)。本发明所提供了一种制氢方法，就是将MOCVD设备排放的尾气先在500℃～1000℃下将氨气分解、过滤粉尘、加压，然后用变压吸附或者中空纤维膜分离技术将氢气分离出来，最后将氢气用分子筛技术、吸气剂技术等将气体纯化得到高纯氢气，为MOCVD设备使用。上述的制氢方法，既解决了MOCVD尾气排放造成环境污染问题，又解决了MOCVD设备所需要原料氢气问题，物质循环利用。该方法制作简单，设备成熟，制作成本低廉，宜于大规模生产。

主权项

一种制氢方法，其特征在于：利用GaN‑LED生产过程中MOCVD设备排出的尾气做原料，制成纯氢气为MOCVD设备再次使用的方法，包括以下制造过程：(1)高温分解——将MOCVD排放的尾气先在500℃～1000℃下将氨气分解出氢气和氮气，用水冷却到室温、用过滤器过滤掉气体中的灰尘；(2)氢氮分离——用氢气压缩机加压，然后用变压吸附或者中空纤维膜分离方法将氢气分离出来，将剩余气体直接排空；(3)氢气提纯——用分子筛技术、吸气剂技术等将氢气中的氧气、水汽等含氧杂质去除。