[发明专利]低密度SiC纳米纤维及其制备方法有效
| 申请号： | 201410618306.3 | 申请日： | 2014-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN104451957A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 龙金林;汪颖;王绪绪;张子重;林华香 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | D01F9/10 | 分类号： | D01F9/10;C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低密度SiC纳米纤维及其制备方法，所述的SiC纳米纤维密度约为0.3-0.6克/立方厘米（商品化SiC密度约为1.1-1.3克/立方厘米），纤维直径为100-500纳米，长径比大于100。该SiC纳米纤维采用静电纺丝技术结合高温碳热还原法制备而成，得到的SiC纳米纤维分布均匀。本发明提供的SiC纳米纤维制备方法简单易行，原材料价格低廉，纤维的结构形貌容易控制，是一种综合性较强、适于工业化推广的合成技术。 | ||
| 搜索关键词： | 密度 sic 纳米 纤维 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低密度SiC纳米纤维，其特征在于：所述的SiC纳米纤维的密度为0.3‑0.6 g/cm3，纤维直径为100‑500纳米，长径比大于100。
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