[发明专利]一种半导体器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括有源区和无源区，所述有源区包括多个有源区单元，所述多个有源区单元在所述半导体器件的长度方向上交错排列，所述多个有源区单元在所述半导体器件的宽度方向上交错排列。本发明增加了半导体器件的整体长度，增大了半导体器件的散热面积，加快了热量的散发，使得半导体器件的内部温度分布均匀；减小了整个半导体器件的宽长比，减轻了宽长比增大对器件性能的影响，并且还能降低后续工艺难度。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：有源区和无源区，所述有源区包括多个有源区单元，所述多个有源区单元在所述半导体器件的长度方向上交错排列，以及所述多个有源区单元在所述半导体器件的宽度方向上交错排列；所述半导体器件的正面包括位于有源区内的源极、栅极和漏极，所述有源区内的源极、栅极和漏极分布在所述有源区的有源区单元内；还包括位于无源区内的漏极互联金属和/或栅极互联金属；所有所述有源区内的漏极通过位于无源区内的同一漏极互联金属连接在一起，所有所述有源区内的栅极通过位于无源区内的同一栅极互连金属连接在一起。