[发明专利]一种鳍式场效应晶体管的制造方法

摘要

本发明提供一种鳍式场效应晶体管的制造方法，在回刻蚀介质层以形成鳍部之间的浅沟槽隔离结构之前，先将鳍部上表面预先形成的两层硬掩膜层中的顶层去除，然后在整个器件表面形成盖层，所述盖层相当于增加浅沟槽填充物的宽度，并改善浅沟槽填充物的形貌，降低回刻蚀窗口的深宽比，从而改善回刻蚀后浅沟槽隔离结构表面的平坦度，同时剩余的硬掩膜层可以保持鳍部暴露出的侧面结构，最终提高鳍式场效应晶体管的器件性能。

主权项

一种鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成第一硬掩膜层和第二硬掩膜层；选择性蚀刻所述第二硬掩膜层、第一硬掩膜层和所述半导体衬底，以形成鳍部，所述鳍部两侧形成有浅沟槽而上表面仍然覆盖所述第一硬掩膜层和第二硬掩膜层；在所述浅沟槽中填充介质层，所述介质层的上表面与所述第二硬掩膜上表面平坦一致；去除所述第二硬掩膜层，并在所述介质层和暴露出的鳍部表面形成盖层；采用回刻蚀工艺完全去除盖层并部分去除所述介质层，至所述鳍部上表面距离所述介质层上表面的预定高度。