[发明专利]一种碳化硅MOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410619955.5 | 申请日： | 2014-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN104282765B | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 赵艳黎;刘可安;李诚瞻;高云斌;蒋华平;吴佳;丁荣军 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅MOS器件及其制造方法，本发明在干法刻蚀后形成的粗糙度较大的栅槽内表面完全外延一层P－外延层，由于外延层之后的P－外延层的表面粗糙度较低，所以导电沟道中载流子碰撞或散射几率会降低，从而提高碳化硅MOS器件反型沟道载流子迁移率，达到降低器件导通电阻的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 碳化硅 mos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅MOS器件，其特征在于，包括：SiC衬底(8)、设置于所述SiC衬底(8)上方的N－外延层(7)、设置于所述N－外延层(7)上方的P+外延层(6)、设置于所述P+外延层(6)上方的N+外延层(5)、贯穿所述N+外延层(5)和P+外延层(6)并嵌入N－外延层(7)的栅槽、设置于栅槽上方的SiO2氧化层(2)、设置于SiO2氧化层(2)上方的栅极(1)，设置于N+外延层(5)上方的源极(4)，设置于SiC衬底(8)下方的漏极(9)，以及在所述栅槽的内表面完全外延的P－外延层(3)。
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