[发明专利]金属连线制备方法在审
| 申请号： | 201410620626.2 | 申请日： | 2014-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN105633007A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 夏禹 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的金属连线制备方法中，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底依次沉积下层金属层、中间金属层、顶层金属层；在所述顶层金属层上沉积缓冲金属层；选择性刻蚀所述缓冲金属层、所述顶层金属层、所述中间金属层以及所述下层金属层，形成金属连线结构。本发明金属连线制备方法，在沉积所述顶层金属层之后通过物理沉积一层缓冲金属层，在芯片表面和物理沉积的腔体的侧壁上都覆盖有一层粘附性很好的缓冲金属层，可以有效防止所述顶层金属层和腔体侧壁带来的金属剥落缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 连线 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属连线制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底依次沉积下层金属层、中间金属层、顶层金属层；在所述顶层金属层上沉积缓冲金属层；选择性刻蚀所述缓冲金属层、所述顶层金属层、所述中间金属层以及所述下层金属层，形成金属连线结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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