[发明专利]反应气体输送装置及化学气相沉积或外延层生长反应器在审
申请号: | 201410620810.7 | 申请日: | 2014-11-06 |
公开(公告)号: | CN105624645A | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
发明(设计)人: | 姜银鑫;杜志游 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于化学气相沉积或外延层生长反应器的气体输送装置,包括一隔离板和一气体输送板,所述隔离板上方形成第一气体扩散区域,所述隔离板和所述气体输送板之间形成第二气体扩散区域;所述气体输送板上表面交替设置相互平行的纵长形的第一气体扩散槽和纵长形的第二气体扩散槽,第一气体扩散槽和第二气体扩散槽槽底部分别设置第一气体出气通道和第二气体出气通道,分别用于将第一气体扩散区域内的气体和第二气体扩散区域内的气体输送到处理区域内;相邻的第一气体出气通道出口和第二气体出气通道的出口之间的气体输送板下表面为弧形或尖锥形。 | ||
搜索关键词: | 反应 气体 输送 装置 化学 沉积 外延 生长 反应器 | ||
【主权项】:
一种反应气体输送装置,用于化学气相沉积或外延层生长反应器,其特征在于,包括:从上往下依次设置的一顶板、一隔离板和一气体输送板,所述顶板与所述隔离板相互间隔而于二者之间形成第一气体扩散区域,所述隔离板和所述气体输送板相互间隔而于二者之间形成第二气体扩散区域;所述气体输送板为一体形成之板体,其包括一上表面,所述上表面上沿某一水平方向上开设有相互平行排列的多个纵长形第一气体扩散槽和多个纵长形第二气体扩散槽,并且每一所述第一气体扩散槽和每一所述第二气体扩散槽相互间隔排列设置,所述每一第一气体扩散槽下方还开设连接有一纵长形第一气体出气通道并且二者相连通,所述每一第二气体扩散槽下方还开设连接有一纵长形第二气体出气通道并且二者相连通;所述每一第一气体扩散槽和与之相邻的每一第二气体扩散槽之间向下延伸设置有一纵长形的气体导流条;所述每一纵长形的气体导流条内部设置有一纵长形的冷却管道,所述每一纵长形的气体导流条的下表面设有具一定弧度的弧形或设为尖锥形;所述每一第一气体扩散槽上还进一步连接设置有至少一根与所述第一气体扩散区域相连通的第一气体输送管。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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