[发明专利]半导体组件及其制备方法有效
申请号: | 201410623813.6 | 申请日: | 2014-11-06 |
公开(公告)号: | CN105633064B | 公开(公告)日: | 2019-01-29 |
发明(设计)人: | 曾秋莲;罗明辉;侯颖;徐文辉;杨钦耀 | 申请(专利权)人: | 比亚迪股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L23/498;H01L21/50;H01L21/60 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 贾玉姣 |
地址: | 518118 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体组件及其制备方法,半导体组件包括:金属底板,金属底板上设有第一焊接面;覆金属陶瓷基板,覆金属陶瓷基板设在金属底板上且与第一焊接面焊接相连,覆金属陶瓷基板上设有第二焊接面;芯片,芯片设在覆金属陶瓷基板上且与第二焊接面焊接相连,第一焊接面和第二焊接面中的至少一个上设有突出于第一焊接面和/或第二焊接面的凸点,金属底板与覆金属陶瓷基板之间的焊料和/或芯片与覆金属陶瓷基板之间的焊料分别设在凸点上,凸点的熔点大于焊料的焊接温度。根据本发明实施例的半导体组件,不仅改善了焊料分布的均匀性,提高了半导体组件的可靠性和使用寿命,而且提高了焊料的润湿性。 | ||
搜索关键词: | 半导体 组件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体组件,其特征在于,包括:金属底板,所述金属底板的上表面设有第一焊接面;覆金属陶瓷基板,所述覆金属陶瓷基板设在所述金属底板上且所述覆金属陶瓷基板的下表面与所述第一焊接面焊接相连,所述覆金属陶瓷基板的上表面设有第二焊接面;芯片,所述芯片设在所述覆金属陶瓷基板上且所述芯片的下表面与所述第二焊接面焊接相连,其中,所述第一焊接面上设有突出于所述第一焊接面的凸点,所述金属底板与所述覆金属陶瓷基板之间的焊料设在所述第一焊接面上的凸点上;或者,所述第二焊接面上设有突出于所述第二焊接面的凸点,所述芯片与所述覆金属陶瓷基板之间的焊料设在所述第二焊接面上的凸点上;或者,所述第一焊接面上设有突出于所述第一焊接面的凸点且所述第二焊接面上设有突出于所述第二焊接面的凸点,所述金属底板与所述覆金属陶瓷基板之间的焊料设在所述第一焊接面上的凸点上,所述芯片与所述覆金属陶瓷基板之间的焊料设在所述第二焊接面上的凸点上;其中,所述凸点的熔点大于对应位置的焊料的焊接温度。
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