[发明专利]消旋卡多曲α 晶型及其制备方法在审
| 申请号： | 201410624321.9 | 申请日： | 2014-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN104356036A | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 张涛;李宗涛;杨学谦;刘印;张爽;任继波 | 申请（专利权）人： | 山东齐都药业有限公司 |
| 主分类号： | C07C327/32 | 分类号： | C07C327/32;A61K31/265;A61P1/12 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人： | 耿霞 |
| 地址： | 255400 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于药物晶型及制备技术领域，具体涉及一种消旋卡多曲α晶型及其制备方法。所述的消旋卡多曲α晶型，其X射线粉末衍射图的反射角2θ在4.2-4.3°、8.7-8.8°、13.2-13.3°、16.7-17.8°、17.7-17.8°和19.9-20.0°处显示X射线粉末衍射峰，在1135-1136cm-1、1551-1553cm-1、1644-1645cm-1、1687-1688cm-1、1731-1732cm-1和3287-3290cm-1处显示红外吸收峰。其制备方法是将消旋卡多曲溶于溶剂中，并加热至溶解，溶解后静置析晶，过滤，干燥。制得的消旋卡多曲α晶型纯度高，晶型稳定；其制备方法工艺简单、易于实施，收率为70％～80％，纯度≥99.0％。 | ||
| 搜索关键词： | 消旋卡多曲 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种消旋卡多曲α晶型，其特征在于：其使用Cu‑Kα辐射，在以2θ角度表示的粉末X射线衍射图谱中在4.2‑4.3°、8.7‑8.8°、13.2‑13.3°、16.7‑17.8°、17.7‑17.8°和19.9‑20.0°处显示X射线粉末衍射峰。
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