[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

一种半导体结构及其制造方法。半导体结构的制造方法包含下列步骤：提供具有硅基板与保护层的晶圆结构，其中保护层上的焊垫由硅基板的镂空区露出；于硅基板环绕镂空区的侧壁上与硅基板背对保护层的表面上形成绝缘层；于绝缘层上与焊垫上形成布线层；于布线层上形成阻隔层；图案化阻隔层而形成第一开口，使位于硅基板的表面上的布线层由第一开口露出；于露出第一开口的布线层上形成第一导电层；于第一开口中设置导电结构，使导电结构电性接触第一导电层。本发明不仅可节省第一导电层的材料成本，还使得整个半导体结构的良率得以提升。

主权项

一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包含下列步骤：a)提供具有一硅基板与一保护层的一晶圆结构，其中该保护层上的一焊垫由该硅基板的一镂空区露出；b)于该硅基板环绕该镂空区的一侧壁上与该硅基板背对该保护层的一表面上形成一绝缘层；c)于该绝缘层上与该焊垫上形成一布线层；d)于该布线层上形成一阻隔层；e)图案化该阻隔层而形成一第一开口，使位于该硅基板的该表面上的该布线层由该第一开口露出；f)于露出该第一开口的该布线层上形成一第一导电层；以及g)于该第一开口中设置一导电结构，使该导电结构电性接触该第一导电层。