[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在其上形成多层金属布线；依次沉积第一材料层和第二材料层，覆盖多层金属布线中的最上层的金属布线；对第一材料层和第二材料层的裸露表面实施疏水处理，使其具有疏水性；依次沉积第三材料层和第四材料层，覆盖第二材料层，自下而上层叠的第一材料层、第二材料层、第三材料层和第四材料层构成金属间绝缘层；沉积扩散阻挡层，覆盖第四材料层；形成电连接多层金属布线中的最上层的金属布线的顶层金属布线；沉积钝化层，覆盖顶层金属布线和露出的扩散阻挡层。根据本发明，可以阻止所述金属间绝缘层中的氟的扩散以及氟与外界水汽的接触，避免上述现象造成的器件缺陷。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成多层金属布线；依次沉积第一材料层和第二材料层，覆盖所述多层金属布线中的最上层的金属布线；对所述第一材料层和所述第二材料层的裸露表面实施疏水处理，使所述表面具有疏水性；依次沉积第三材料层和第四材料层，覆盖所述第二材料层；沉积扩散阻挡层，覆盖所述第四材料层；其中，所述第一材料层和所述第二材料层的材料为掺氟硅玻璃，所述第三材料层的材料为氧化物，所述第四材料层的材料为氮氧化硅。