[发明专利]电荷库IGBT顶端结构及制备方法在审
| 申请号： | 201410625507.6 | 申请日： | 2014-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN104659088A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 胡军 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 美国加利福尼亚州94*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的各个方面提出了一种含有IGBT器件，它包括一个或多个沟槽栅极沉积在半导体衬底上方，以及一个第一导电类型的浮动本体区，沉积在两个相邻的沟槽栅极之间，以及半导体衬底和第二导电类型的重掺杂顶区之间。沉积在顶区上方的第一导电类型的本体区掺杂浓度，高于第一导电类型的浮动本体区掺杂浓度。要强调的是，本摘要必须使研究人员或其他读者快速掌握技术说明书的主旨内容，本摘要符合以上要求。应明确，本摘要将不用于解释或局限权利要求书的范围或意图。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 igbt 顶端 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极晶体管(IGBT)器件，其特征在于，包括：一个衬底，包括一个第一导电类型的半导体底层以及一个第二导电类型的半导体顶层；一个或多个沟槽栅极，每个沟槽栅极都形成在沉积在衬底上方相应的沟槽中，其中在沟槽的每个边上都有一个栅极绝缘物，并用多晶硅填充；一个第一导电类型的浮动本体区，沉积在两个相邻的沟槽栅极之间以及衬底上方；一个第二导电类型的顶区，就在两个相邻的沟槽栅极之间以及浮动本体区上方，其中第二导电类型的顶区为重掺杂；以及一个第一导电类型的本体区，沉积在两个相邻的沟槽栅极之间以及顶区上方，其中第一导电类型的浮动本体区的掺杂浓度低于第一导电类型的本体区掺杂浓度。
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