[发明专利]三氯氢硅的合成工艺在审
| 申请号： | 201410626677.6 | 申请日： | 2014-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN105645417A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 张晶 | 申请（专利权）人： | 青岛首泰农业科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266000 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三氯氢硅的合成工艺，包括硅粉(Si)和氯化氢(HCl)的低压合成法制备三氯氢硅TCS的流程与设备，所述设备主要包括二氯二氢硅DCS蒸发器和流化床反应器，把精馏工段的二氯二氢硅DCS在蒸发器中气化，然后将气态的二氯二氢硅DCS通入流化床反应器和过量的HCl反应来制备三氯氢硅；精馏工段一定时间内聚集的DCS反应结束后，转入硅粉(Si)和氯化氢(HCl)的低压合成法制备三氯氢硅TCS的流程。该方法既是一种新的TCS的制备方法，同时也解决了一个传统改良西门子法的弊端：DCS富集的问题,工艺简洁、易操作、安全、稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 三氯氢硅 合成 工艺 | ||
【主权项】：
一种三氯氢硅的合成工艺，其特征在于：所述方法包括以下步骤： （1）把精馏工段的二氯二氢硅DCS在蒸发器中气化，然后将气态的二氯二氢硅DCS通入流化床反应器和过量的HCl反应来制备三氯氢硅； （2）精馏工段15‑20小时内聚集的DCS反应结束后，转入硅粉(Si)和氯化氢(HCl)的低压合成法制备三氯氢硅TCS的流程。
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