[发明专利]等离子体处理装置、基片卸载装置及方法有效
申请号: | 201410628189.9 | 申请日: | 2014-11-10 |
公开(公告)号: | CN105575863B | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
发明(设计)人: | 左涛涛;吴狄;倪图强 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供等离子体处理装置、基片卸载装置及方法,用于降低基片卸载过程中的基片破裂风险。其中的一种实施例的基片卸载装置包括用于承载基片的静电夹盘、设置在基片周边的聚焦环、升举顶针及控制器。基片的边缘部分延伸至聚焦环的上方。聚焦环内设置有通道。升举顶针包括可升降的第一级顶杆,第一级顶杆内设置有可相对于第一级顶杆作升降运动的第二级顶杆。聚焦环内的通道容许第二级顶杆通过,但不容许第一级顶杆通过。控制器用于控制第一级顶杆接触并抬升聚焦环,进而抬升所述基片,实现基片与静电夹盘的脱离;也用于控制第二级顶杆相对于第一级顶杆的上升运动,以使得第二级顶杆穿过通道而作用在基片上并抬升基片,实现聚焦环与基片的分离。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 卸载 方法 | ||
【主权项】:
1.用于等离子体处理装置的基片卸载装置,包括:静电夹盘,其上表面设置有用于支撑基片中央区域的凸出部以及环绕所述凸出部的凹陷区域;聚焦环,设置在所述凹陷区域内,用于改善等离子体处理装置内的等离子体分布,包括邻近所述凸出部的第一部分以及远离所述凸出部的第二部分,所述第一部分的上表面不高于所述凸出部的上表面,以便于使得基片的边缘区域设置于所述第一部分的上方,所述第二部分的上表面高于所述凸出部的上表面,以限位基片于所述凸出部与所述第一部分;控制器,用于控制所述聚焦环的升降运动,在卸载基片时,所述控制器控制所述聚焦环向上抬升,所述聚焦环的抬升迫使基片的下表面脱离所述静电夹盘;分离装置,用于在基片的下表面脱离所述静电夹盘后,进一步分离聚焦环与基片;传送臂,用于在聚焦环与基片分离后,将基片移出还包括一升举顶针,所述升举顶针包括:可升降的第一级顶杆,所述第一级顶杆呈筒状;设置在所述第一级顶杆内的第二级顶杆,所述第二级顶杆可相对于所述第一级顶杆作升降运动,作为所述的分离装置;所述聚焦环内设置有通道,所述通道容许所述第二级顶杆通过,但不容许所述第一级顶杆通过;所述控制器可用于控制所述第一级顶杆抬升所述聚焦环,进而间接抬升所述基片,从而实现基片与所述静电夹盘的脱离;在基片与静电夹盘脱离后,控制所述第二级顶杆的上升,以使得所述第二级顶杆穿过所述通道而作用在基片上并抬升基片,从而实现聚焦环与基片的分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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