[发明专利]高效率射频LDMOS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410628269.4 | 申请日： | 2014-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN104465772A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 徐向明;遇寒 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 殷晓雪 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种射频LDMOS器件，包括重掺杂漏极，在重掺杂漏极上具有漏极金属电极；所述漏极金属电极的底部与重掺杂漏极相接触并将重掺杂漏极电性引出。本发明还公开了所述射频LDMOS器件的制造方法。本发明的射频LDMOS器件中，在重掺杂漏极中不再形成漏极金属硅化物，因此抬高了重掺杂漏极的上表面，并基本不消耗重掺杂漏极的硅。这样便可以尽量增大栅极金属硅化物的厚度以减小栅极电阻，而不会影响漏端区域的功能，从而减小射频RFLDMOS反向击穿时漏电流并确保击穿电压稳定。本发明的射频LDMOS器件中，在重掺杂漏极中不再形成漏极金属硅化物，还可以减小重掺杂漏极的宽度，从而降低源漏电容Cds，提高器件的效率及非线性度。 | ||
| 搜索关键词： | 高效率 射频 ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高效率射频LDMOS器件，包括重掺杂漏极，其特征是，在重掺杂漏极上具有漏极金属电极；所述漏极金属电极的底部与重掺杂漏极相接触并将重掺杂漏极电性引出。
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