[发明专利]金属氧化物半导体场效应管的终端结构及其制造方法

摘要

本发明涉及一种金属氧化物半导体场效应管的终端结构，包括N型的截止环，还包括通过离子注入形成于所述截止环与有源区之间的第一P型低掺杂区域和第二P型低掺杂区域，注入剂量为1.5*1011～2*1013/cm2，注入能量为20千电子伏～80千电子伏，两个P型低掺杂区域中所述第一P型低掺杂区域相对更靠近所述有源区，所述第一P型低掺杂区域的长度小于所述第二P型低掺杂区域的长度。本发明还涉及一种金属氧化物半导体场效应管的终端结构的制造方法。本发明采用两个低掺杂的P‑区来降低表面电场、提高MOSFET的击穿电压，替代了传统的多个分压环的终端结构，大大减小了终端尺寸、提高了芯片的有效利用面积，在相同面积下使芯片的参数更优。

主权项

一种金属氧化物半导体场效应管的终端结构的制造方法，包括下列步骤：提供N型衬底；在所述N型衬底上形成氧化层；通过光刻及刻蚀所述氧化层形成仅有两个的P型区注入窗口；通过两个P型区注入窗口向所述N型衬底内注入P型杂质离子，形成有且仅有两个的P型低掺杂区域，包括靠近有源区的第一P型低掺杂区域和相对远离有源区的第二P型低掺杂区域，注入剂量为1.5*1011～2*1013/cm2，注入能量为20千电子伏～80千电子伏；所述第一P型低掺杂区域的长度小于所述第二P型低掺杂区域的长度；对所述第一P型低掺杂区域和第二P型低掺杂区域的杂质离子进行扩散处理；形成多晶硅场板，所述多晶硅场板覆盖所述第一P型低掺杂区域上方的氧化层；在所述第二P型低掺杂区域远离所述第一P型低掺杂区域的一侧光刻并注入N型离子形成截止环；对所述第一P型低掺杂区域和第二P型低掺杂区域的杂质离子进行扩散处理的步骤之后，所述第一P型低掺杂区域的长度为10～50微米，所述第二P型低掺杂区域的长度为30～200微米，所述第一P型低掺杂区域与第二P型低掺杂区域的间距为4～20微米。