[发明专利]低温多晶硅薄膜的制备方法、制备设备及低温多晶硅薄膜在审
| 申请号： | 201410631331.5 | 申请日： | 2014-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN104404617A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 张隆贤;余威 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低温多晶硅薄膜的制备方法、低温多晶硅薄膜的制备装置及低温多晶硅薄膜。所述低温多晶硅薄膜的制备方法包括：提供一基板；形成一层非晶硅薄膜；用准分子镭射技术对所述非晶硅薄膜的不同区域分别施加不同的温度，使所述非晶硅薄膜变为熔融状态；所述非晶硅薄膜自温度较低的区域为起点向温度较高的区域结晶，以形成所述低温多晶硅薄膜。本发明提供的低温多晶硅薄膜的制备方法及低温多晶硅薄膜的制备装置制备出的低温多晶硅薄膜具有较大的晶粒及较高的电子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜 制备 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述低温多晶硅薄膜的制备方法包括：提供一基板；形成一层非晶硅薄膜；用准分子镭射技术对所述非晶硅薄膜的不同区域分别施加不同的温度，使所述非晶硅薄膜变为熔融状态；所述非晶硅薄膜自温度较低的区域为起点向温度较高的区域结晶，以形成所述低温多晶硅薄膜。
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