[发明专利]BOOST升压电路主功率MOSFET的过载保护装置

摘要

本发明公开了一种BOOST升压电路主功率MOSFET的过载保护装置，对主功率MOSFET的导通压降进行采样，并将预定的参考电压作为门限，根据导通压降是否超过参考电压来判断主功率MOSFET是否过载，并在过载时，关断主功率MOSFET驱动控制电路的输出，进而使得主功率MOSFET停止工作，达到过载保护的目的。

主权项

一种BOOST升压电路主功率MOSFET的过载保护装置，其特征在于，包括参考信号输入电路、过流采样电路和比较器U3A；所述参考信号输入电路向所述比较器U3A的同相输入端输入参考电压，所述过流采样电路采集BOOST升压电路主功率MOSFET的导通压降，将导通压降叠加直流电压后形成反相端电压，将反相端电压输入到所述比较器U3A的反相输入端；所述参考电压与主功率MOSFET驱动控制电路输出的方波信号同步，且参考电压的大小与所述反相端电压的大小相适应；所述主功率MOSFET驱动控制电路是为主功率MOSFET提供方波驱动信号的电路；所述比较器U3A比较同相输入端的参考电压与反相输入端的反相端电压，输出相应的高低电平至主功率MOSFET驱动控制电路的使能端，使得主功率MOSFET的导通压降低于限制的安全电压时，主功率MOSFET驱动控制电路输出方波信号至BOOST升压电路的主功率MOSFET，主功率MOSFET正常工作，主功率MOSFET的导通压降高于限制的安全电压时，主功率MOSFET驱动控制电路关断方波信号的输出，主功率MOSFET停止工作；所述参考信号输入电路包括：运算放大器U8，同相输入端接主功率MOSFET驱动控制电路的时钟信号，反相输入端通过电阻R45接地，同时通过电阻R46接输出端，输出端通过电阻R47接三极管Q1的基极；三极管Q1，基极还连接电阻R47，并通过电阻R1接地，发射极接地，集电极通过依次串联的电阻R5、电阻R4接电源；电源经电阻R4接比较器U3A的同相输入端，比较器U3A的同相输入端还通过电容C1接地，当主功率MOSFET驱动控制电路的时钟信号是高电平时，三极管Q1导通，电源电压经电阻R4分压后输入比较器U3A的同相输入端；当主功率MOSFET驱动控制电路的时钟信号是低电平时，三极管Q1截止，比较器U3A同相输入端为电源电压经电阻R4和电容C1分压的电压。