[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置在审
| 申请号： | 201410632527.6 | 申请日： | 2014-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN105590834A | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 高娜;陈育浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底中形成沟槽；在半导体衬底上以及所述沟槽的侧壁和底部沉积材料层；实施化学机械研磨处理，以使位于晶圆边缘的材料层的表面粗糙度增大；实施高密度等离子体化学气相沉积于所述沟槽中填充另一材料层。根据本发明，可以提升通过高密度等离子体化学气相沉积形成的材料层与该材料层下方的材料层之间的附着力，避免发生层离现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成沟槽；在所述半导体衬底上以及所述沟槽的侧壁和底部沉积材料层；实施化学机械研磨处理，以使位于晶圆边缘的所述材料层的表面粗糙度增大；实施高密度等离子体化学气相沉积于所述沟槽中填充另一材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
