[发明专利]双节钙钛矿/铜铟镓硒太阳能电池在审
| 申请号： | 201410632557.7 | 申请日： | 2014-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN105655422A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 马给民 | 申请（专利权）人： | 东莞日阵薄膜光伏技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 523808 广东省东莞市松山湖高新技*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳能电池，具体的说是涉及一种双节型钙钛矿、铜铟镓硒太阳能电池，它包括：上层的钙钛矿层、下层的铜铟镓硒层，所述钙钛矿层包括依次层压在一起的上透明导电层、钙钛矿吸收层、下透明导电层；所述铜铟镓硒层包括依次层压在一起的氧化锌掺铝导电层、氧化锌层、硫化镉薄膜层、铜铟镓硒吸收层、钼导电层、钠钙玻璃基层。双节钙钛矿、铜铟镓硒能加宽光谱的吸收，使穿过上层薄膜钙钛矿层而未被吸收的光子，能在下层薄膜铜铟镓硒继续被吸收，转换率能超过30%。本发明具有高转换率功能，适合批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 双节钙钛矿 铜铟镓硒 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种双节型钙钛矿、铜铟镓硒太阳能电池，其特征在于，它包括：上层的钙钛矿层（1），所述钙钛矿层（1）包括依次层压在一起的上透明导电层（11）、钙钛矿吸收层（12）、下透明导电层（13）；下层的铜铟镓硒层（2），所述铜铟镓硒层（2）包括依次层压在一起的氧化锌掺铝导电层（21）、氧化锌层（22）、硫化镉薄膜层（23）、铜铟镓硒吸收层（24）、钼导电层（25）、钠钙玻璃基层（26）。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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