[发明专利]有机发光二极管显示装置的制造方法有效
| 申请号： | 201410635479.6 | 申请日： | 2014-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN104659284B | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 姜贞求;申荣训 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种OLED显示装置的制造方法。所述方法包括：在基板上形成栅极电极；在设置有栅极电极的基板上形成栅极绝缘膜；在设置有栅极绝缘膜的基板上形成沟道层、源极电极和漏极电极；形成有机发光二极管，所述有机发光二极管包括与所述漏极电极连接的第一电极、形成在所述第一电极上的有机发光层和形成在所述有机发光层上的第二电极；使用有机硅化合物在设置有有机发光二极管的基板上形成具有低于10％的氢含量的钝化层；和在设置有钝化层的基板上形成密封层。 | ||
| 搜索关键词： | 基板 有机发光二极管 有机发光层 栅极绝缘膜 第一电极 漏极电极 栅极电极 钝化层 有机发光二极管显示装置 有机硅化合物 第二电极 源极电极 沟道层 密封层 制造 | ||
【主权项】：
1.一种有机发光二极管显示装置的制造方法，包括：以如下顺序，在基板上形成栅极电极；在设置有所述栅极电极的基板上形成栅极绝缘膜；在设置有所述栅极绝缘膜的基板上形成沟道层、源极电极和漏极电极；形成层间绝缘膜；形成有机发光二极管，所述有机发光二极管包括与所述漏极电极连接的第一电极、形成在所述第一电极上的有机发光层和形成在所述有机发光层上的第二电极；形成具有低于10％的氢含量的SiON的钝化层，所述钝化层是通过将HMDS(N)和/或HMDS(O)与等离子态的分子氧或分子氮在100℃以下进行聚合而形成于设置有所述有机发光二极管的基板的整个表面上以完全包覆所述有机发光二极管，以使得所述钝化层将有机发光二极管与外部隔离，以保护其免于外部湿气的影响，减小氢含量并防止形成于OLED下方的薄膜晶体管的性能劣化；和在设置有所述钝化层的基板上形成密封层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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