[发明专利]CMOS影像传感器的像元结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种CMOS影像传感器的像元结构及其制造方法，所述像元结构位于读取电路或处理电路之上，多层P型、N型材料通过重掺杂的接触结构使同质掺杂的膜层连接在一起，利用小电压即可形成厚耗尽层，利于光吸收；另一方面，利用金属假图形使多PN结结构具有凹凸的表面形貌结构，从而扩大光吸收的面积；同时，加入薄金属反射层可以将透射的光反射到像元吸收层内，进一步提升光吸收。利用本发明的像元结构，可以提高整个CMOS影像传感器的光学灵敏度和清晰度，提升了芯片的性能和可靠性。

主权项

一种CMOS影像传感器的像元结构，其制作于读取电路或处理电路的顶层之上，所述读取电路或处理电路的顶层包括介质层和介质层两边的各一个通孔，所述像元结构包括：金属反射层，位于所述介质层之上；金属假图形，位于所述金属反射层之上；金属连接图形，包括分别位于两个所述通孔之上的N型金属连接图形和P型金属连接图形；多层PN结结构，由P型材料和N型材料错层叠加于所述金属反射层、金属假图形和金属连接图形之上；接触结构，包括位于N型金属连接图形之上的纵向的N型接触结构和位于P型金属连接图形之上的纵向的P型接触结构，以使得每层N型材料通过N型接触结构与N型金属连接图形电连接，而每层P型材料通过P型接触结构与P型金属连接图形电连接。